单轴张应变n+掺杂Ge/GeSi量子阱光增益的理论分析

时间:2021-08-21 00:11

本文摘要:因为降低成本及其可大规模生产,硅基光量子搭建激光光路更拥有很多学者们的兴趣爱好。硅基光量子学的主要用途涉及大空间、节能型的光互联网,近些年还廷伸来到光谱学及其有机化学、微生物感测器等行业。尽管很多的硅基光量子学基本元器件如光无源器件、探测仪、解调器等早就被报道,但上面搭建及其CMOS相溶的硅基灯源仍然是一道磨练。具有特有伪必需携带隙可带构造的锗材料是一种被寄予希望的材料。 根据张突发事件和n掺入,锗材料能够被更改为必需携带隙材料,进而使闪动高效率进一步提高。

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因为降低成本及其可大规模生产,硅基光量子搭建激光光路更拥有很多学者们的兴趣爱好。硅基光量子学的主要用途涉及大空间、节能型的光互联网,近些年还廷伸来到光谱学及其有机化学、微生物感测器等行业。尽管很多的硅基光量子学基本元器件如光无源器件、探测仪、解调器等早就被报道,但上面搭建及其CMOS相溶的硅基灯源仍然是一道磨练。具有特有伪必需携带隙可带构造的锗材料是一种被寄予希望的材料。

根据张突发事件和n掺入,锗材料能够被更改为必需携带隙材料,进而使闪动高效率进一步提高。除此之外,在现阶段的基本上,结合较低维量子科技构造如量子阱、量子科技线、量子点技术的锗材料也很有期待能降低体材料锗激光发生器的阈值电流。

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  因此,武汉光电国家级实验室光电子器件与搭建作用试验室孙军强专家教授带领博士研究生江佳霖对[100]方位双轴张突发事件、n 掺入Ge/GeSi量子阱的光增益值特点进行了理论基础研究。充分考虑量子阱中的支配权载流子汲取耗损,她们建立了根据8携带藕合k?p微扰方式的理论模型,调整了Drude-Lorentz实体模型。根据模型,双轴张突发事件和n掺入对量子阱的可带构造、载流子产自、光的偏振涉及到增益值及其支配权载流子汲取的危害得到 了详细的剖析和争辩。此外,她们还推算出来了各有不同突发事件和n掺入浓度值下的净最高值增益值和透明色载流子浓度值。

在可完成的张突发事件及其n掺入浓度值下,推算出来得到 的TE方式清静增益值可超出2061cm-1,这强调该量子阱将来可能沦落一种合理地的硅基闪动材料。  二零一六年5月6日,该科研成果Theoreticalanalysisofopticalgaininuniaxialtensilestrainedandn -dopedGe/GeSiquantumwell公布发布在OSA集团旗下刊物OpticsExpress(Vol.24,no.13,PP.14525-14537,2016)杂志期刊。

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此项科学研究得到 了自然科学基金(61435004)的支助。


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